


NTHL022N120M3S | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 5556-NTHL022N120M3S-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NTHL022N120M3S |
Descrição | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI |
Tempo de espera previsto do fabricante | 20 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Furo passante TO-247-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 30mOhm a 40A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,4V a 20mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 139 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +22V, -10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 3130 pF @ 800 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 352W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-247-3 | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 16,66000 € | 16,66 € |
| 10 | 11,90500 € | 119,05 € |
| 450 | 9,31727 € | 4 192,77 € |
| Preço unitário sem VAT: | 16,66000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 20,49180 € |

