Name: NTLJS2103PTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS2103PTBGOSTR-ND
Price: 1.0701 EUR
Availability: InStock

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NTLJS2103PTBG
Número de produto da DigiKey	NTLJS2103PTBGOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTLJS2103PTBGOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTLJS2103PTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTLJS2103PTBG
Descrição	MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 12 V 3,5A (Ta) 700mW (Ta) Montagem em superfície 6-WDFN (2x2)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	µCool™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	12 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	40mOhm a 3A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	800mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1157 pF @ 6 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-WDFN (2x2)
Pacote / Invólucro	6-WDFN pad exposto
Número base de produto	NTLJS2103