Name: NTMFS5H600NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NTMFS5H600NLT1GOSTR-ND
Price: 4.1082 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NTMFS5H600NLT1G
Número de produto da DigiKey	NTMFS5H600NLT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTMFS5H600NLT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTMFS5H600NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMFS5H600NLT1G
Descrição	MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	33 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 35A (Ta), 250A (Tc) 3,3W (Ta), 160W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	35A (Ta), 250A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,3mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6680 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,3W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8, 5 condutores
Número base de produto	NTMFS5