Name: NTMS10P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS10P02R2GOSTR-ND
Price: 2.2017 EUR
Availability: InStock

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NTMS10P02R2G
Número de produto da DigiKey	NTMS10P02R2GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTMS10P02R2GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTMS10P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMS10P02R2G
Descrição	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 8,8A (Ta) 1,6W (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTMS10P02R2G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8,8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	14mOhm a 10A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	70 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3640 pF @ 16 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,6W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	NTMS10