Name: NTR2101PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTR2101PT1GOSTR-ND
Price: 0.5658 EUR
Availability: InStock

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NTR2101PT1G
Número de produto da DigiKey	NTR2101PT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTR2101PT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTR2101PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTR2101PT1G
Descrição	MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 8 V 3,7A (Ta) 960mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTR2101PT1G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	8 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	52mOhm a 3,5A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1173 pF @ 4 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	960mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	NTR2101

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