Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 3.1242 EUR
Availability: InStock

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NTTFS1D2N02P1E
Número de produto da DigiKey	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTTFS1D2N02P1E
Descrição	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Montagem em superfície PQFN-8 (3,3x3,3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTTFS1D2N02P1E Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	25 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	23A (Ta), 180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 934µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	24 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+16V, -12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4040 pF @ 13 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	820mW (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PQFN-8 (3,3x3,3)
Pacote / Invólucro	PowerWDFN-8
Número base de produto	NTTFS1