Name: NVF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NVF6P02T3GOSTR-ND
Price: 1.9188 EUR
Availability: InStock

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NVF6P02T3G
Número de produto da DigiKey	NVF6P02T3GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NVF6P02T3GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NVF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVF6P02T3G
Descrição	MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 10A (Ta) 8,3W (Ta) Montagem em superfície SOT-223 (TO-261)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NVF6P02T3G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	50mOhm a 6A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1200 pF @ 16 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	8,3W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-223 (TO-261)
Pacote / Invólucro	TO-261-4, TO-261AA
Número base de produto	NVF6P02