Name: NVGS5120PT1G
Brand: onsemi
SKU: NVGS5120PT1GOSTR-ND
Price: 1.476 EUR
Availability: InStock

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NVGS5120PT1G
Número de produto da DigiKey	NVGS5120PT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NVGS5120PT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NVGS5120PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVGS5120PT1G
Descrição	MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 1,8A (Ta) 600mW (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NVGS5120PT1G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	111mOhm a 2,9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	18.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	942 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	600mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-TSOP
Pacote / Invólucro	SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Número base de produto	NVGS5120