Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 3.9606 EUR
Availability: InStock

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NVMFS5113PLT1G
Número de produto da DigiKey	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFS5113PLT1G
Descrição	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NVMFS5113PLT1G Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 83 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4400 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 10A (Ta), 64A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 14mOhm a 17A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8, 5 condutores
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA	Número base de produto NVMFS5