Name: NVMFWS2D3P04M8LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS2D3P04M8LT1GTR-ND
Price: 4.7109 EUR
Availability: InStock

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NVMFWS2D3P04M8LT1G
Número de produto da DigiKey	488-NVMFWS2D3P04M8LT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMFWS2D3P04M8LT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMFWS2D3P04M8LT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFWS2D3P04M8LT1G
Descrição	MV8 P INITIAL PROGRAM
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3,8W (Ta), 205W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	31A (Ta), 222A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,2mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 2,7mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	157 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5985 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 205W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8, 5 condutores
Número base de produto	NVMFWS