Name: NVMYS4D1N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS4D1N06CLTWGTR-ND
Price: 2.2017 EUR
Availability: InStock

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NVMYS4D1N06CLTWG
Número de produto da DigiKey	488-NVMYS4D1N06CLTWGTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMYS4D1N06CLTWGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMYS4D1N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMYS4D1N06CLTWG
Descrição	MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) Montagem em superfície LFPAK4 (5x6)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	22A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 80µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2200 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,7W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LFPAK4 (5x6)
Pacote / Invólucro	SOT-1023, 4-LFPAK
Número base de produto	NVMYS4