Name: PJB120P04E-AU_R2_002A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJB120P04E-AU_R2_002A1TR-ND
Price: 3.2472 EUR
Availability: InStock

Novo produto

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

PJB120P04E-AU_R2_002A1
Número de produto da DigiKey	3757-PJB120P04E-AU_R2_002A1TR-ND - Fita e carretel (TR) 3757-PJB120P04E-AU_R2_002A1CT-ND - Fita cortada (CT) 3757-PJB120P04E-AU_R2_002A1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de produto do fabricante	PJB120P04E-AU_R2_002A1
Descrição	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 20A (Ta), 120A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) Montagem em superfície TO-263AB
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Panjit International Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	20A (Ta), 120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5,2mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	9400 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263AB
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB