Name: NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND
Price: 6.5436 EUR
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NP100P06PDG-E1-AY
Número de produto da DigiKey	559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND - Fita e carretel (TR) 559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND - Fita cortada (CT) 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	NP100P06PDG-E1-AY
Descrição	MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 100A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Montagem em superfície TO-263
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NP100P06PDG-E1-AY Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	15000 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	NP100P06