Name: SQM110P06-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM110P06-8M9L_GE3TR-ND
Price: 4.4772 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SQM110P06-8M9L_GE3
Número de produto da DigiKey	SQM110P06-8M9L_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQM110P06-8M9L_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQM110P06-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQM110P06-8M9L_GE3
Descrição	MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 110A (Tc) 230W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQM110P06-8M9L_GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8,9mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7450 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	230W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	SQM110