Name: RBA160N10EANS-4UA03#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0TR-ND
Price: 3.2964 EUR
Availability: InStock

Novo produto

Canal N 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Montagem em superfície 8-DFN (4,9x5,75)

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RBA160N10EANS-4UA03#HB0
Número de produto da DigiKey	559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0TR-ND - Fita e carretel (TR) 559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0CT-ND - Fita cortada (CT) 559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	RBA160N10EANS-4UA03#HB0
Descrição	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Montagem em superfície 8-DFN (4,9x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 91 nC @ 10 V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6500 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 165W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 160A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-DFN (4,9x5,75)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,9mOhm a 80A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 109µA