Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 3.2349 EUR
Availability: InStock

Novo produto

Canal N 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Montagem em superfície 8-DFN (4,9x5,75)

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RBE029N10R1SZN6#HB0
Número de produto da DigiKey	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - Fita e carretel (TR) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - Fita cortada (CT) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	RBE029N10R1SZN6#HB0
Descrição	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Montagem em superfície 8-DFN (4,9x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 109µA
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 91 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6500 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 165W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 160A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-DFN (4,9x5,75)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,9mOhm a 80A, 10V