Name: RBE015N10R1SZPV#GB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE015N10R1SZPV#GB0TR-ND
Price: 5.658 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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RBE015N10R1SZPV#GB0
Número de produto da DigiKey	559-RBE015N10R1SZPV#GB0TR-ND - Fita e carretel (TR) 559-RBE015N10R1SZPV#GB0CT-ND - Fita cortada (CT) 559-RBE015N10R1SZPV#GB0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	RBE015N10R1SZPV#GB0
Descrição	MOSFET N-CH 100V 340A TOLG
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 340A (Tc) 468W (Tc) Montagem em superfície TOLG
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 170 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 13000 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 468W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 340A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TOLG
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro 8-PowerSMD, asa de gaivota
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,5mOhm a 100A, 10V