


QS8M31TR | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | QS8M31TR-ND - Fita e carretel (TR) QS8M31CT-ND - Fita cortada (CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | QS8M31TR |
Descrição | MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 16 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) Montagem em superfície TSMT8 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Rohm Semiconductor | |
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | Canal N e P | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 60V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 3A (Ta), 2A (Ta) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 112mOhm a 3A, 10V, 210mOhm a 2A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 1mA, 3V a 1mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 4nC a 5V, 7,2nC a 5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 270pF a 10V, 750pF a 10V | |
Potência - Máx. | 1,1W (Ta) | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 8-SMD, condutores planos | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TSMT8 | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,04000 € | 1,04 € |
| 10 | 0,65600 € | 6,56 € |
| 100 | 0,43230 € | 43,23 € |
| 500 | 0,33592 € | 167,96 € |
| 1 000 | 0,30491 € | 304,91 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,26551 € | 796,53 € |
| 6 000 | 0,24568 € | 1 474,08 € |
| 9 000 | 0,23557 € | 2 120,13 € |
| 15 000 | 0,22692 € | 3 403,80 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,04000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,27920 € |




