Name: R6007ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007ENX-ND
Price: 3.5547 EUR
Availability: InStock

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R6007ENX
Número de produto da DigiKey	R6007ENX-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	R6007ENX
Descrição	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) Furo passante TO-220FM
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	R6007ENX Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20 nC @ 10 V
Embalagem Granel	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 390 pF @ 25 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 40W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Tipo de montagem Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 7A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-220FM
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro Pacote completo TO-220-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 620mOhm a 2,4A, 10V	Número base de produto R6007

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Substitutos (3)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
IPAN65R650CEXKSA1	Infineon Technologies	14	IPAN65R650CEXKSA1-ND	1,67000 €	Similar
IXTP4N70X2M	IXYS	24	238-IXTP4N70X2M-ND	4,33000 €	Similar
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Granel

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Preço unitário sem VAT:	2,89000 €
Preço unitário com VAT:	3,55470 €

R6007ENX