Name: R8007AND3FRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R8007AND3FRATLTR-ND
Price: 6.396 EUR
Availability: InStock

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R8007AND3FRATL
Número de produto da DigiKey	846-R8007AND3FRATLTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-R8007AND3FRATLCT-ND - Fita cortada (CT) 846-R8007AND3FRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	R8007AND3FRATL
Descrição	MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 7A (Tc) 140W (Tc) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,6Ohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	850 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	140W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	R8007