Name: RD3G08BBJHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND
Price: 3.6531 EUR
Availability: InStock

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RD3G08BBJHRBTL
Número de produto da DigiKey	846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RD3G08BBJHRBTLCT-ND - Fita cortada (CT) 846-RD3G08BBJHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RD3G08BBJHRBTL
Descrição	PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 80A (Ta) 142W (Tc) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	80A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,9mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+5V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7350 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	142W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63