Name: RD3P130SPFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P130SPFRATLTR-ND
Price: 2.9397 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RD3P130SPFRATL
Número de produto da DigiKey	RD3P130SPFRATLTR-ND - Fita e carretel (TR) RD3P130SPFRATLCT-ND - Fita cortada (CT) RD3P130SPFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RD3P130SPFRATL
Descrição	MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 100 V 13A (Ta) 20W (Tc) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RD3P130SPFRATL Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 40 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2400 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 20W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 13A (Ta)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252
Rds on (máx.) para Id, Vgs 200mOhm a 6,5A, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA	Número base de produto RD3P130