Name: RD3P130SPTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P130SPTL1TR-ND
Price: 2.6814 EUR
Availability: InStock

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RD3P130SPTL1
Número de produto da DigiKey	RD3P130SPTL1TR-ND - Fita e carretel (TR) RD3P130SPTL1CT-ND - Fita cortada (CT) RD3P130SPTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RD3P130SPTL1
Descrição	MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 100 V 13A (Ta) 20W (Tc) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RD3P130SPTL1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	200mOhm a 6,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2400 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	20W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	RD3P130