Name: RF4E100AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E100AJTCRTR-ND
Price: 1.4637 EUR
Availability: InStock

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RF4E100AJTCR
Número de produto da DigiKey	RF4E100AJTCRTR-ND - Fita e carretel (TR) RF4E100AJTCRCT-ND - Fita cortada (CT) RF4E100AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RF4E100AJTCR
Descrição	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 10A (Ta) 2W (Tc) Montagem em superfície HUML2020L8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RF4E100AJTCR Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12,4mOhm a 10A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1460 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	HUML2020L8
Pacote / Invólucro	PowerUDFN-8
Número base de produto	RF4E100