Name: RQ1C075UNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1C075UNTR-ND
Price: 1.1685 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RQ1C075UNTR
Número de produto da DigiKey	RQ1C075UNTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ1C075UNCT-ND - Fita cortada (CT) RQ1C075UNDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ1C075UNTR
Descrição	MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 7,5A (Ta) 700mW (Ta) Montagem em superfície TSMT8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ1C075UNTR Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	16mOhm a 7,5A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1400 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TSMT8
Pacote / Invólucro	8-SMD, condutores planos
Número base de produto	RQ1C075