Name: RQ3C150BCTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3C150BCTBTR-ND
Price: 1.8327 EUR
Availability: InStock

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RQ3C150BCTB
Número de produto da DigiKey	RQ3C150BCTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3C150BCTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3C150BCTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3C150BCTB
Descrição	MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 30A (Tc) 20W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ3C150BCTB Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,7mOhm a 15A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,2V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4800 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	20W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	RQ3C150