


RQ3E110AJTB | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | RQ3E110AJTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3E110AJTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3E110AJTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | RQ3E110AJTB |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT |
Tempo de espera previsto do fabricante | 21 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | RQ3E110AJTB Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5V, 4,5V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 11,7mOhm a 11A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1,5V a 1mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | ±12V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1500 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2W (Ta) | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-HSMT (3,2x3) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 0,99000 € | 0,99 € |
| 10 | 0,62000 € | 6,20 € |
| 100 | 0,40710 € | 40,71 € |
| 500 | 0,31550 € | 157,75 € |
| 1 000 | 0,28601 € | 286,01 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,24856 € | 745,68 € |
| 6 000 | 0,22969 € | 1 378,14 € |
| 9 000 | 0,22008 € | 1 980,72 € |
| 15 000 | 0,20945 € | 3 141,75 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,99000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,21770 € |

