


RQ3G100GNTB | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | RQ3G100GNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3G100GNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | RQ3G100GNTB |
Descrição | MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | RQ3G100GNTB Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Não para novos designs | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 14,3mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 1mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 8.4 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 615 pF @ 20 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2W (Ta) | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-HSMT (3,2x3) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 0,69000 € | 0,69 € |
| 10 | 0,42900 € | 4,29 € |
| 100 | 0,27710 € | 27,71 € |
| 500 | 0,21164 € | 105,82 € |
| 1 000 | 0,19055 € | 190,55 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,16372 € | 491,16 € |
| 6 000 | 0,15021 € | 901,26 € |
| 9 000 | 0,14332 € | 1 289,88 € |
| 15 000 | 0,13559 € | 2 033,85 € |
| 21 000 | 0,13101 € | 2 751,21 € |
| 30 000 | 0,12694 € | 3 808,20 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,69000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 0,84870 € |



