Name: RQ3E110AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E110AJTBTR-ND
Price: 1.2915 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RQ3E110AJTB
Número de produto da DigiKey	RQ3E110AJTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3E110AJTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3E110AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3E110AJTB
Descrição	MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ3E110AJTB Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 13.5 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±12V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1500 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11A (Ta), 24A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSMT (3,2x3)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 4,5V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11,7mOhm a 11A, 4,5V	Número base de produto RQ3E110

Relatar erro de informações do produto

Documentos e mídia

Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Em estoque: 12 869

Verifique se há estoque adicional de entrada

Quantidade

Todos os preços estão em EUR

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)