Name: RQ3G100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G100GNTBTR-ND
Price: 0.8487 EUR
Availability: InStock

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RQ3G100GNTB
Número de produto da DigiKey	RQ3G100GNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3G100GNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3G100GNTB
Descrição	MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ3G100GNTB Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	14,3mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	615 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	RQ3G100

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