Name: RQ3G270BJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3G270BJFRATCBTR-ND
Price: 2.0664 EUR
Availability: InStock

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RQ3G270BJFRATCB
Número de produto da DigiKey	846-RQ3G270BJFRATCBTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RQ3G270BJFRATCBCT-ND - Fita cortada (CT) 846-RQ3G270BJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3G270BJFRATCB
Descrição	PCH -40V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 27A (Tc) 69W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	27A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	22mOhm a 27A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 485µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+5V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1810 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	69W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8