Name: RQ3L070BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070BGTB1TR-ND
Price: 0.8979 EUR
Availability: InStock

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RQ3L070BGTB1
Número de produto da DigiKey	846-RQ3L070BGTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RQ3L070BGTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RQ3L070BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3L070BGTB1
Descrição	NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7A (Ta), 20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	24,7mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	7.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	460 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8

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