Name: RRH090P03GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RRH090P03GZETBTR-ND
Price: 2.2755 EUR
Availability: InStock

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RRH090P03GZETB
Número de produto da DigiKey	RRH090P03GZETBTR-ND - Fita e carretel (TR) RRH090P03GZETBCT-ND - Fita cortada (CT) RRH090P03GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RRH090P03GZETB
Descrição	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 9A (Ta) 650mW (Ta) Montagem em superfície 8-SOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	15,4mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3000 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	650mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	RRH090