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Canal N 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Montagem em chassis SOT-227
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

GCMS007C120S1-E1

Número de produto da DigiKey
1560-GCMS007C120S1-E1-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
GCMS007C120S1-E1
Descrição
GEN3 1200V 7M SIC MOSFET & SBD
Tempo de espera previsto do fabricante
6 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Montagem em chassis SOT-227
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
11mOhm a 100A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 40mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
505 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
13094 pF @ 1000 V
Característica FET
Diodo Schottky (corpo)
Dissipação de potência (máx.)
536W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Invólucro do dispositivo fornecido
SOT-227
Pacote / Invólucro
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
135,41000 €35,41 €
1026,46400 €264,64 €
10024,11830 €2 411,83 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário sem VAT:35,41000 €
Preço unitário com VAT:43,55430 €