
GCMX008C120S1-E1 | |
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Número de produto da DigiKey | 1560-GCMX008C120S1-E1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | GCMX008C120S1-E1 |
Descrição | GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE, |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1200 V 188A (Tc) 536W (Tc) Montagem em chassis SOT-227 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 12mOhm a 100A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 40mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 506 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +22V, -8V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 14067 pF @ 1000 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 536W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-227 | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 28,70000 € | 28,70 € |
| 10 | 21,18100 € | 211,81 € |
| 100 | 18,54800 € | 1 854,80 € |
| Preço unitário sem VAT: | 28,70000 € |
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| Preço unitário com VAT: | 35,30100 € |


