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Novo produto
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
GCMX003A120S3B1-N | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | GCMX003A120S3B1-N |
Descrição | 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2,113kW (Tc) Montagem em chassis |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | SemiQ | |
Séries | ||
Embalagem | Caixa | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 2 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 625A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 5,5mOhm a 300A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 120mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 1408nC a 20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 41400pF a 800V | |
Potência - Máx. | 2,113kW (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | - |
Em estoque: 15
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Caixa
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 206,19000 € | 206,19 € |
| 15 | 198,60800 € | 2 979,12 € |
| Preço unitário sem VAT: | 206,19000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 253,61370 € |
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