
GCMX2P3B120S3B1-N | |
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Número de produto da DigiKey | 1560-GCMX2P3B120S3B1-N-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | GCMX2P3B120S3B1-N |
Descrição | GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR |
Tempo de espera previsto do fabricante | 6 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 608A (Tc) 1705W (Tc) Montagem em chassis |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | SemiQ | |
Séries | ||
Embalagem | Caixa | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 2 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 608A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 3mOhm a 300A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 120mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 1566nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 42900pF a 800V | |
Potência - Máx. | 1705W (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | - |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 135,16000 € | 135,16 € |
| 15 | 121,47400 € | 1 822,11 € |
| Preço unitário sem VAT: | 135,16000 € |
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| Preço unitário com VAT: | 166,24680 € |



