Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 12.81461 EUR
Availability: OutOfStock

Novo na DigiKey

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SCT019HU120G3AG
Número de produto da DigiKey	497-SCT019HU120G3AG-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCT019HU120G3AG
Descrição	SIC MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Montagem em superfície HU3PAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	ECOPACK®
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	26mOhm a 40A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,2V a 10mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	111.2 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2789 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	500W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	HU3PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA

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