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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SCTWA90N65G2V | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 497-SCTWA90N65G2V-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SCTWA90N65G2V |
Descrição | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 17 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Furo passante TO-247 Condutores longos |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SCTWA90N65G2V Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 24mOhm a 50A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5V a 1mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 157 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +22V, -10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 3380 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 565W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 200°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-247 Condutores longos | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 287
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 24,38000 € | 24,38 € |
| 30 | 15,79467 € | 473,84 € |
| 120 | 15,11475 € | 1 813,77 € |
| Preço unitário sem VAT: | 24,38000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 29,98740 € |
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