Name: STH150N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14979-2-ND
Price: 5.0061 USD
Availability: InStock

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STH150N10F7-2
Número de produto da DigiKey	497-14979-2-ND - Fita e carretel (TR) 497-14979-1-ND - Fita cortada (CT) 497-14979-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STH150N10F7-2
Descrição	MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície H2PAK-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	STH150N10F7-2 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	DeepGATE™, STripFET™ VII
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,9mOhm a 55A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	8115 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	H2PAK-2
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	STH150