Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 5.8425 EUR
Availability: InStock

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STH2N120K5-2AG
Número de produto da DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Fita e carretel (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Fita cortada (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STH2N120K5-2AG
Descrição	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 1,5A (Tc) 60W (Tc) Montagem em superfície H2PAK-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	STH2N120K5-2AG Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 5.3 nC @ 10 V
Fabricante STMicroelectronics	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 124 pF @ 100 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 1,5A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Invólucro do dispositivo fornecido H2PAK-2
Rds on (máx.) para Id, Vgs 10Ohm a 500mA, 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 100µA	Número base de produto STH2N120