Name: STH65N050DM9-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH65N050DM9-7AGTR-ND
Price: 9.9384 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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STH65N050DM9-7AG
Número de produto da DigiKey	497-STH65N050DM9-7AGTR-ND - Fita e carretel (TR) 497-STH65N050DM9-7AGCT-ND - Fita cortada (CT) 497-STH65N050DM9-7AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STH65N050DM9-7AG
Descrição	AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 51A (Tc) 266W (Tc) Montagem em superfície H2PAK-7
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	ECOPACK®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	51A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	50mOhm a 25,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4680 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	266W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	H2PAK-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA