Name: SSM3J140TU,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J140TULXHFTR-ND
Price: 0.861 EUR
Availability: OutOfStock

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Equivalente paramétrico

SSM3J140TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Ficha técnica

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SSM3J140TU,LXHF
Número de produto da DigiKey	264-SSM3J140TULXHFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM3J140TULXHFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-SSM3J140TULXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3J140TU,LXHF
Descrição	SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 4,4A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície UFM
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVI
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	25,8mOhm a 4A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+6V, -8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1800 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	UFM
Pacote / Invólucro	3-SMD, condutores planos