Name: SSM3J35AMFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35AMFVL3FTR-ND
Price: 0.246 EUR
Availability: InStock

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SSM3J35AMFV,L3F
Número de produto da DigiKey	SSM3J35AMFVL3FTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM3J35AMFVL3FCT-ND - Fita cortada (CT) SSM3J35AMFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3J35AMFV,L3F
Descrição	MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Montagem em superfície VESM
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3J35AMFV,L3F Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,4Ohm a 150mA, 4,5V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 100µA
Séries U-MOSVII	Vgs (máx.) ±10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 42 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 150mW (Ta)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 150°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Invólucro do dispositivo fornecido VESM
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 250mA (Ta)	Pacote / Invólucro SOT-723
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,2V, 4,5V	Número base de produto SSM3J35

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