Name: SSM3J35MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35MFVL3FTR-ND
Price: 0.2337 EUR
Availability: InStock

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SSM3J35MFV,L3F
Número de produto da DigiKey	SSM3J35MFVL3FTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM3J35MFVL3FCT-ND - Fita cortada (CT) SSM3J35MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3J35MFV,L3F
Descrição	MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montagem em superfície VESM
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3J35MFV,L3F Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 8Ohm a 50mA, 4V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 12.2 pF @ 3 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 150mW (Ta)
Part Status Ativo	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de FET Canal P	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Invólucro do dispositivo fornecido VESM
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Pacote / Invólucro SOT-723
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 100mA (Ta)	Número base de produto SSM3J35

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