Name: SSM6N35AFE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N35AFELFTR-ND
Price: 0.3813 EUR
Availability: InStock

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SSM6N35AFE,LF
Número de produto da DigiKey	SSM6N35AFELFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM6N35AFELFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM6N35AFELFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6N35AFE,LF
Descrição	MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 20V 250mA (Ta) 250mW Montagem em superfície ES6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM6N35AFE,LF Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 100µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 0,34nC a 4,5V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 36pF a 10V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 250mW
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C
Configuração 2 canais N (duplo)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Característica FET Porta de nível lógico, acionamento de 1,2V	Pacote / Invólucro SOT-563, SOT-666
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20V	Invólucro do dispositivo fornecido ES6
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 250mA (Ta)	Número base de produto SSM6N35
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,1Ohm a 150mA, 4,5V

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