Name: TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 2.4108 EUR
Availability: InStock

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TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Número de produto da DigiKey	264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Descrição	MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Montagem em superfície DPAK+
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TJ30S06M3L(T6L1,NQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVI
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	30A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	21,8mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3950 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	68W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DPAK+
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	TJ30S06