Name: TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 3.2964 EUR
Availability: InStock

Canal P 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Montagem em superfície DPAK+

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Número de produto da DigiKey	264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Descrição	MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Montagem em superfície DPAK+
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TJ60S06M3L(T6L1,NQ Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 156 nC @ 10 V
Séries U-MOSVI	Vgs (máx.) +10V, -20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7760 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 100W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido DPAK+
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 60A (Ta)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto TJ60S06
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11,2mOhm a 30A, 10V

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Substitutos (2)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
SQD50P06-15L_GE3	Vishay Siliconix	3 018	SQD50P06-15L_GE3CT-ND	3,54000 €	Similar
SUD50P06-15-GE3	Vishay Siliconix	34 402	SUD50P06-15-GE3CT-ND	3,07000 €	Similar