Name: TK11S10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11S10N1L,LQTR-ND
Price: 1.4145 EUR
Availability: InStock

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TK11S10N1L,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TK11S10N1L,LQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TK11S10N1L,LQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TK11S10N1L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK11S10N1L,LQ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 11A (Ta) 65W (Tc) Montagem em superfície DPAK+
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK11S10N1L,LQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	28mOhm a 5,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 100µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	850 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	65W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DPAK+
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	TK11S10