TK370A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage | Produtos semicondutores discretos

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TK370A60F,S4X(S
Número de produto da DigiKey	264-TK370A60FS4X(S-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK370A60F,S4X(S
Descrição	MOSFET N-CH
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 15A (Ta) 45W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSIX
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	15A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	370mOhm a 7,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 2,04mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2200 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	45W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SIS
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3

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